型号:  IPS060N03L G

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO251-3

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  30V

Id-连续漏极电流：  50A

Rds On-漏源导通电阻：  5mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  1V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  30nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  56W

通道模式：  Enhancement

高度：  6.22mm

长度：  6.73mm

系列：  OptiMOS3

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  2.38mm

正向跨导 - 最小值：  34S

下降时间：  3ns

上升时间：  3ns

典型关闭延迟时间：  20ns

典型接通延迟时间：  5ns

Packing Type：  TUBE

RDS (on) max：  6.0mΩ

IDpuls max：  350.0A

VDS max：  30.0V

ID max：  50.0A

Package：  IPAK SL (TO-251 SL)

Rth：  2.7 K/W

QG：  11.3nC

Budgetary Price €€/1k：  0.19

RDS (on) (@4.5V) max：  9.0mΩ

Ptot max：  56.0W

Polarity：  N

VGS(th) min max：  1.0 V 2.2 V

Coss：  640.0 pF

Ciss：  1700.0pF

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs