型号: IPS06N03LAG
功能描述: MOSFET N-KANAL POWER MOS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 50 A 00004000
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Rds On-漏源导通电阻: 9.6 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 83 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: IPAK-3
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 4.6 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 7.2 ns
工厂包装数量: 1500
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
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联系人：陈玲玲
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联系人：曾先生
Q Q:
联系人：张顺方
电话：15099977019
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联系人：吴子平
电话：15013856736
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联系人：朱小姐
电话：18173569573
Q Q:
