型号: IPS110N12N3 G
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳： PG-TO251-3
安装风格： ThroughHole
通道数量： 1Channel
晶体管极性： N-Channel
Vds-漏源极击穿电压： 120V
配置： Single
高度： 6.22mm
长度： 6.73mm
晶体管类型： 1N-Channel
宽度： 2.38mm
Packing Type： TUBE
RDS (on) max： 11.0mΩ
IDpuls max： 300.0A
VDS max： 120.0V
ID max： 75.0A
Package： IPAK SL (TO-251 SL)
Rth： 1.1K/W
QG： 49.0nC
Budgetary Price €/1k： 0.6
Ptot max： 136.0W
Polarity： N
Coss： 408.0pF
Ciss： 3240.0pF
VGS(th) min max： 2.0V 4.0V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
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电话：13360071553
Q Q:
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Q Q:
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Q Q:
