型号: IPS65R1K5CEAKMA1
功能描述: 650V, 8.3A, 15OHM, IPAK (SHORT LEADS)
制造商: Infineon Technologies
系列： CoolMOS™ CE
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 3.1A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 10.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 225pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 28W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.5 欧姆 @ 1A，10V
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： PG-TO251-3
封装形式Package： TO-251
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 650V
连续漏极电流ID： 3.1A
漏源电压（Vdss）： 650V
供应商器件封装： TO-251
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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