型号: IPU60R1K4C6BKMA1
功能描述: MOSFET
制造商: Infineon Technologies
汲极/源极击穿电压： 650 V
闸/源击穿电压： 20 V
漏极连续电流： 3.2 A
导通电阻： 1.4 Ohms
最大工作温度： + 150 C
安装风格： Through Hole
封装 / 箱体： TO-251
封装： Tube
商标： Infineon Technologies
下降时间： 20 ns
栅极电荷 Qg： 9.4 nC
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 28.4 W
上升时间： 7 ns
系列： IPU60R1
工厂包装数量： 1500
商标名： CoolMOS
典型关闭延迟时间： 40 ns
零件号别名： SP000931530
ROHS： 无铅
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