型号:  IPU60R2K1CEBKMA1

功能描述:  N-Channel 600 V 2.3 A 2100 mO 6.7 nC CoolMOS CE Power Transistor - IPAK

制造商:  Infineon Technologies

系列：  CoolMOS™ CE

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  2.3A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 60µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  6.7nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  140pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  22W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  2.1 欧姆 @ 760mA，10V

工作温度：  -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-251-3 短引线

封装形式Package：  TO-251

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  600V

连续漏极电流ID：  2.3A

漏源电压（Vdss）：  600V

供应商器件封装：  PG-TO251-3

无铅情况/RoHs：  否