型号:  IPW65R190CFDA

功能描述:  MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  17.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  171 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  68 nC

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  151 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  CoolMOS

封装:  Tube

高度:  21.1 mm

长度:  16.13 mm

系列:  CoolMOS CFDA

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5.21 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  6.4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8.4 ns

工厂包装数量:  240

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  53.2 ns

典型接通延迟时间:  12 ns

零件号别名:  IPW65R190CFDAFKSA1 IPW65R19CFDAXK SP000928268

单位重量:  6 g