型号: IPZ65R019C7XKSA1
功能描述: MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 75 A
Rds On-漏源导通电阻: 17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 215 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 446 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
系列: CoolMOS C7
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.21 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 240
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 106 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
零件号别名: IPZ65R019C7 SP001024002
单位重量: 38 g
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