型号: IPZA60R037P7XKSA1
功能描述: MOSFET HIGH POWER_NEW
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PG-TO-247-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 76 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 121 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 255 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: Power MOSFET
商标: Infineon Technologies
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 240
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
零件号别名: IPZA60R037P7 SP001707736
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：陈生
电话：13713818425
Q Q:
联系人：邵金
电话：13954634366
Q Q:
联系人：张先生
电话：19967512226
Q Q:
