型号: IRF5802TR
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
设计资源： IRF5802TR Saber Model IRF5802TR Spice Model
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 900mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 1.2 欧姆 @ 540mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 6.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 88pF @ 25V
功率 - 最大值： 2W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装： Micro6?（TSOP-6）
其它名称： *IRF5802TRIRF5802CTIRF5802CT-NDIRF5802TRCT
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