型号: IRF5803TR
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
产品培训模块： Discrete Power MOSFETs 40V and Below
设计资源： IRF5803TR Saber Model IRF5803TR Spice Model
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.4A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 112 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 37nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1110pF @ 25V
功率 - 最大值： 2W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装： Micro6?（TSOP-6）
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：曹，林
电话：13352984345
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
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联系人：蔡经理，张小姐
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联系人：廖小姐
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Q Q:
