型号: IRF5805PBF
功能描述:
制造商:
典型关断延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
典型栅极电荷@Vgs: 11 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds: 511 pF V @ 25
安装类型: 表面贴装
宽度: 1.5mm
封装类型: TSOP
尺寸: 3 x 1.5 x 0.9mm
引脚数目: 6
最低工作温度: -55 °C
最大功率耗散: 2000 mW
最大栅源电压: ±20 V
最大漏源电压: 30 V
最大漏源电阻值: 0.098
最大连续漏极电流: 3.8 A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: P
配置: 四漏极、单
长度: 3mm
高度: 0.9mm
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：陈先生，张女士
电话：13606207446
Q Q:
联系人：柯先生
电话：15072058203
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18688969163
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：林小姐
电话：18825072898
Q Q:
联系人：游先生
电话：13430687883
Q Q:
