型号:  IRF5805TRPBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5805TRPBF, 3.8 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  TSOP6L

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  3.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  98 毫欧 @ 3.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  17nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  511pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  2W（Ta）

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  Micro6™（TSOP-6）

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

通道类型：  P

最大连续漏极电流：  3.8 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  98 m0hms

最大栅阈值电压：  2.5V

最小栅阈值电压：  1V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  TSOP

晶体管配置：  单

引脚数目：  6

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  2000 mW

长度：  3mm

高度：  0.9mm

系列：  HEXFET

尺寸：  3 x 1.5 x 0.9mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  11 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  511 pF@ 25 V

典型关断延迟时间：  90 ns

典型接通延迟时间：  11 ns

宽度：  1.5mm

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +150 °C

每片芯片元件数目：  1

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs