型号: IRF5810PBF
功能描述:
制造商:
典型关断延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 8.2 ns
典型栅极电荷@Vgs: 6.4 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds: 650 pF V @ 16
安装类型: 表面贴装
宽度: 1.5mm
封装类型: TSOP
尺寸: 3 x 1.5 x 0.9mm
引脚数目: 6
最低工作温度: -55 °C
最大功率耗散: 960 mW
最大栅源电压: ±12 V
最大漏源电压: 20 V
最大漏源电阻值: 0.09
最大连续漏极电流: 2.9 A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 2
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: P
配置: 双、双漏极、双源
长度: 3mm
高度: 0.9mm
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Q Q:
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