型号: IRF5810
功能描述: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: HEXFET®
零件状态: 停產
FET 类型: 2 个 P 沟道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.9A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 90 毫欧 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 9.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 650pF @ 16V
功率 - 最大值: 960mW
工作温度: 960mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装: 6-TSOP
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