型号: IRF614B_FP001
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 250 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 2.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 2 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
下降时间: 30 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 40 W
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 25 ns
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：李先生，先小姐
Q Q:
联系人：李小姐，朱先生
电话：15889589108
Q Q:
联系人：刘R
Q Q:
