型号: IRF630NSTRRPBF
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
产品培训模块： High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
标准包装： 800
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9.3A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 300 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 575pF @ 25V
功率 - 最大值： 82W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： D2PAK
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：洪小姐
电话：13428770504
Q Q:
联系人：覃景
Q Q:
联系人：张小姐
电话：15914120158
Q Q:
