型号:  IRF630STRLPBF

功能描述:  Single N-Channel 200 V 0.4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-263

制造商:  Vishay

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  9A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  43nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  800pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  3W（Ta），74W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  400 毫欧 @ 5.4A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

封装形式Package：  TO-252-3

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  200V

连续漏极电流ID：  9A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  400mOhms

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs