型号: IRF634PBF
功能描述: Single N-Channel 250 V 0.45 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 8.1A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 41nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 770pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 74W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 450 毫欧 @ 5.1A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220AB
封装形式Package： TO-220-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 250V
连续漏极电流ID： 8.1A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 450mOhms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：13128990370
Q Q:
联系人：深圳市众芯创科技有限公司
电话：13554783822
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
