型号: IRF634STRRPBF
功能描述:
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 8.1A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 41nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 770pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），74W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 450 毫欧 @ 5.1A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package： TO-252-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 250V
连续漏极电流ID： 8.1A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 450mOhms
无铅情况/RoHs： 否
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：苏
电话：13592823258
Q Q:
联系人：陈玉
电话：13824367045
Q Q:
联系人：陈凯敏
电话：18320771255
Q Q:
