型号: IRF640B_FP001
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 18 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.18 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
下降时间: 110 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 139 W
上升时间: 145 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 145 ns
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:小冯
电话:18964592030
联系人:马信洪
电话:15889772787
联系人:樊勉
电话:17621743344
联系人:钟小姐,王先生
电话:13418830030
联系人:刘先生,李小姐
电话:13510175077
联系人:赵小姐
电话:13049883113
联系人:朱军
Q Q:
联系人:林
联系人:蔡先生
电话:15019436544