型号: IRF640B_FP001
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 18 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.18 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
下降时间: 110 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 139 W
上升时间: 145 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 145 ns
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18688969163
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：陈涛
电话：82785677
Q Q:
联系人：唐工
电话：15980703110
Q Q:
联系人：陈伟杰
电话：15914022833
Q Q:
