型号: IRF640B_FP001
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 18 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.18 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
下降时间: 110 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 139 W
上升时间: 145 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 145 ns
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：曾舒媚
电话：13682318582
Q Q:
联系人：廖先生，连敏妹
电话：18898775818
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：江先生
电话：18988752008
Q Q:
联系人：彭传凤
电话：15889626113
Q Q:
联系人：张
电话：13428776889
Q Q:
