型号: IRF640N
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 18A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 150 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 67nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1160pF @ 25V
功率 - 最大值： 150W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： TO-220AB
其它名称： *IRF640N
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：陈
电话：18138247901
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13715037703
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：曹，林
电话：13352984345
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨女士
Q Q:
联系人：刘先生
Q Q:
联系人：陈冬锋
电话：13641144498
Q Q:
