型号: IRF640NSHR
功能描述: Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
制造商: international rectifier
包装： 3D2PAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 200 V
最大连续漏极电流： 18 A
RDS -于： 150@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 10 ns
典型上升时间： 19 ns
典型关闭延迟时间： 23 ns
典型下降时间： 5.5 ns
工作温度： -55 to 175 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Rail / Tube
最大门源电压： ±20
包装宽度： 9.65(Max)
PCB： 2
最大功率耗散： 150000
最大漏源电压： 200
欧盟RoHS指令： Not Compliant
最大漏源电阻： 150@10V
每个芯片的元件数： 1
最低工作温度： -55
供应商封装形式： D2PAK
标准包装名称： D2PAK
最高工作温度： 175
渠道类型： N
包装长度： 10.67(Max)
引脚数： 3
包装高度： 4.83(Max)
最大连续漏极电流： 18
标签： Tab
铅形状： Gull-wing
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