型号: IRF640NSTRR
功能描述:
制造商:
标准包装: 800
类别: 分离式半导体产品
家庭: FET - 单路
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫欧 @ 11A, 10V
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18A
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss): 1160pF @ 25V
功率 - 最大: 150W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
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