型号:  IRF640PBF

功能描述:  Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3

制造商:  Vishay

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  18A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  70nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1300pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  125W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  180 毫欧 @ 11A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-220AB

封装形式Package：  TO-220-3

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  200V

连续漏极电流ID：  18A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  180mOhms

Id-连续漏极电流：  3.3A

Pd-功率耗散：  36W

Qg-栅极电荷：  8.2nC

Rds On-漏源导通电阻：  1.5Ohms

Vds-漏源极击穿电压：  200V

Vgs - 栅极-源极电压：  10V

Vgs th-栅源极阈值电压：  2V

上升时间：  17ns

下降时间：  8.9ns

典型关闭延迟时间：  14ns

典型接通延迟时间：  8.2ns

安装风格：  ThroughHole

宽度：  4.7mm

封装/外壳：  TO-220AB-3

晶体管极性：  N-Channel

晶体管类型：  1N-Channel

最大工作温度：  +150C

最小工作温度：  -55C

正向跨导 - 最小值：  0.8S

系列：  IRF

通道数量：  1Channel

通道模式：  Enhancement

配置：  Single

长度：  10.41mm

高度：  15.49mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs