型号:  IRF640NSTRLHR

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

制造商:  international rectifier

包装：  3D2PAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  200 V

最大连续漏极电流：  18 A

RDS -于：  150@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  10 ns

典型上升时间：  19 ns

典型关闭延迟时间：  23 ns

典型下降时间：  5.5 ns

工作温度：  -55 to 175 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  9.65(Max)

PCB：  2

最大功率耗散：  150000

最大漏源电压：  200

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最大漏源电阻：  150@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  D2PAK

标准包装名称：  D2PAK

最高工作温度：  175

渠道类型：  N

包装长度：  10.67(Max)

引脚数：  3

包装高度：  4.83(Max)

最大连续漏极电流：  18

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing