型号: IRF640B_FP001_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 11.4 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.18 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
下降时间: 110 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 139 W
上升时间: 145 ns
典型关闭延迟时间: 145 ns
联系人：肖圣
电话：17825673949
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：李京
电话：17727581162
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13590279456
Q Q:
联系人：詹R
电话：0755-6546516
Q Q:
