型号:  IRF6629TR1PBF

功能描述:  International Rectifier/分立半导体产品

制造商:  International Rectifier

产品培训模块：  High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源：  IRF6629TR1PBF Saber Model IRF6629TR1PBF Spice Model

标准包装：  1,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  HEXFET®

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：  25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  29A（Ta），180A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  2.1 毫欧 @ 29A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.35V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  51nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  4260pF @ 13V

功率 - 最大值：  2.8W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  DirectFET? 等容 MX

供应商器件封装：  DIRECTFET? MX

配用：  IRDC3622D-ND - BOARD EVAL W/IR3622MPBF DUAL OUTIRDC3622S-ND - BOARD EVALUATION W/IR3622MPBF

其它名称：  IRF6629TR1PBFTR