型号: IRF6662TR1PBF
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
产品培训模块： High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8.3A（Ta），47A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 22 毫欧 @ 8.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.9V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1360pF @ 25V
功率 - 最大值： 2.8W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DirectFET? 等容 MZ
供应商器件封装： DIRECTFET? MZ
其它名称： IRF6662TR1PBFTR
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