型号:  IRF6802SDTRPBF

功能描述:  IRF6802 Series 25 V 4.2 mOhm SMT Dual N-Channel DirectFET Power MOSFET

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  MG-WDSON-6

FET 类型：  2 个 N 沟道（双）

FET 功能：  逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：  25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  16A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  4.2 毫欧 @ 16A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.1V @ 35µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  13nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1350pF @ 13V

功率 - 最大值：  1.7W

工作温度：  -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

FET类型：  2 个 N 沟道（双）

FET功能：  逻辑电平门

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  4.2 毫欧 @ 16A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.1V @ 35µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  13nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1350pF @ 13V

功率-最大值：  1.7W

封装形式Package：  Direct-FET

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  25V

连续漏极电流ID：  16A

供应商器件封装：  DIRECTFET™ SA

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs