型号:  IRF7341GTRPBF

功能描述:  MOSFET PLANAR_MOSFETS

制造商:  Infineon / IR

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  55 V

Id-连续漏极电流:  5.1 A

Rds On-漏源导通电阻:  65 mOhms, 65 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  29 nC, 29 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  2.4 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.75 mm

长度:  4.9 mm

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  3.9 mm

商标:  Infineon / IR

正向跨导 - 最小值:  10.4 S, 10.4 S

下降时间:  12.5 ns, 12.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7.7 ns, 7.7 ns

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  31 ns, 31 ns

典型接通延迟时间:  9.2 ns, 9.2 ns

零件号别名:  SP001563394

单位重量:  506.600 mg