型号: IRF7756TR
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
设计资源： IRF7756 Saber Model
标准包装： 4,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： HEXFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 P 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.3A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 40 毫欧 @ 4.3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1400pF @ 10V
功率 - 最大值： 1W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装： 8-TSSOP
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：余维春
电话：13801626111
Q Q:
联系人：王楚
电话：13410810057
Q Q:
联系人：郭先生
电话：13422881663
Q Q:
