型号:  IRF7769L2TRPBF

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  375A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  300nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  11560pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  3.3W（Ta），125W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  3.5 毫欧 @ 74A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  DIRECTFET L8

封装/外壳：  MG-WDSON-11

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Id-连续漏极电流：  124A

Rds On-漏源导通电阻：  2.8mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  200nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

配置：  SingleHexDrainOctalSource

Pd-功率耗散：  125W

通道模式：  Enhancement

商标名：  DirectFET

封装：  CutTape

高度：  0.74mm

长度：  9.15mm

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  7.1mm

下降时间：  41ns

上升时间：  32ns

典型关闭延迟时间：  92ns

典型接通延迟时间：  44ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs