型号:  IRF7832HR

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC

制造商:  international rectifier

包装：  8SOIC

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  20 A

RDS -于：  4@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  12 ns

典型上升时间：  6.7 ns

典型关闭延迟时间：  21 ns

典型下降时间：  13 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Rail / Tube

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  SOIC

包装高度：  1.5(Max)

最大功率耗散：  2500

渠道类型：  N

最大漏源电阻：  4@10V

最低工作温度：  -55

最大漏源电压：  30

每个芯片的元件数：  1

包装宽度：  4(Max)

供应商封装形式：  SOIC

包装长度：  5(Max)

PCB：  8

最大连续漏极电流：  20

引脚数：  8

铅形状：  Gull-wing

连续漏极电流：  20 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  2.5 W

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  SOIC

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  30 V

弧度硬化：  No

删除：  Not Compliant