型号: IRF7832HR
功能描述: Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC
制造商: international rectifier
包装: 8SOIC
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 30 V
最大连续漏极电流: 20 A
RDS -于: 4@10V mOhm
最大门源电压: ±20 V
典型导通延迟时间: 12 ns
典型上升时间: 6.7 ns
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型下降时间: 13 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Surface Mount
标准包装: Rail / Tube
最大门源电压: ±20
欧盟RoHS指令: Not Compliant
最高工作温度: 150
标准包装名称: SOIC
包装高度: 1.5(Max)
最大功率耗散: 2500
渠道类型: N
最大漏源电阻: 4@10V
最低工作温度: -55
最大漏源电压: 30
每个芯片的元件数: 1
包装宽度: 4(Max)
供应商封装形式: SOIC
包装长度: 5(Max)
PCB: 8
最大连续漏极电流: 20
引脚数: 8
铅形状: Gull-wing
连续漏极电流: 20 A
栅源电压(最大值): �20 V
功率耗散: 2.5 W
工作温度范围: -55C to 150C
包装类型: SOIC
极性: N
类型: Power MOSFET
元件数: 1
工作温度分类: Military
漏源导通电压: 30 V
弧度硬化: No
删除: Not Compliant
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