型号:  IRF7905TRPBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 MOSFET IRF7905TRPBF, 7.8 A，8.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  SO8

FET 类型：  2 个 N 沟道（双）

FET 功能：  逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  7.8A，8.9A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  21.8 毫欧 @ 7.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.25V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  6.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  600pF @ 15V

功率 - 最大值：  2W

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  8-SO

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  7.8 A，8.9 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  21.3 m0hms，29.3 m0hms

最大栅阈值电压：  2.25V

最小栅阈值电压：  1.35V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  SOIC

引脚数目：  8

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  2 W

典型接通延迟时间：  5.2 ns、6.2 ns

典型关断延迟时间：  6.9 ns、8.1 ns

典型输入电容值@Vds：  600 pF @ 15 V、910 pF @ 15 V

典型栅极电荷@Vgs：  4.6 nC @ 4.5 V，6.9 nC @ 4.5 V

系列：  HEXFET

每片芯片元件数目：  2

最低工作温度：  -55 °C

宽度：  4mm

高度：  1.5mm

长度：  5mm

正向跨导：  15S

正向二极管电压：  1V

尺寸：  5 x 4 x 1.5mm

最高工作温度：  +150 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs