型号:  IRF9389TRPBF

功能描述:  MOSFET 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  6.8 A, 4.6 A

Rds On-漏源导通电阻:  22 mOhms, 51 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  6.8 nC, 8.1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Dual

商标名:  HEXFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.75 mm

长度:  4.9 mm

系列:  IRF939

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:  3.9 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  8.2 S, 4.1 S

下降时间:  3.9 ns, 15 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4.8 ns, 14 ns

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  4.9 ns, 17 ns

典型接通延迟时间:  5.1 ns, 8 ns

零件号别名:  SP001551666

单位重量:  506.600 mg