型号:  IRFB59N10DPBF

功能描述:  International Rectifier/分立半导体产品

制造商:  International Rectifier

产品培训模块：  High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

设计资源：  IRFB59N10DPBF Saber Model IRFB59N10DPBF Spice Model

标准包装：  50

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  HEXFET®

包装：  管件

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  标准

漏源极电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  59A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  25 毫欧 @ 35.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  5.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  114nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  2450pF @ 25V

功率 - 最大值：  3.8W

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-220-3

供应商器件封装：  TO-220AB

其它名称：  *IRFB59N10DPBF