型号: IRFBE30LPBF
功能描述: Single N-Channel 800 V 3 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-262
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 4.1A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 78nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1300pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 125W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 3 欧姆 @ 2.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
封装形式Package： TO-262-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 800V
连续漏极电流ID： 4.1A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 3Ohms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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