型号: IRFD113PBF
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 800mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 7nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 200pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 1W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 800 毫欧 @ 800mA，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： 4-HVMDIP
封装/外壳： 4-DIP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：肖琛
电话：18670278727
Q Q:
联系人：林女士，林先生，洪女士
电话：13410287239
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13714075009
Q Q:
