型号: IRFD123
功能描述: MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp
制造商: Vishay / Siliconix
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 100 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 1.3 A
导通电阻： 270 mOhms
配置： Single Dual Drain
最大工作温度： + 150 C
安装风格： Through Hole
封装 / 箱体： HexDIP-4
封装： Tube
商标： Vishay / Siliconix
下降时间： 27 ns
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 1300 mW
上升时间： 27 ns
工厂包装数量： 2500
典型关闭延迟时间： 18 ns
ROHS： 含铅
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