型号: IRFD9010PBF
功能描述: Single P-Channel 50 V 0.5 Ohms Through Hole Power Mosfet - DIP-4
制造商: Vishay
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 1.1A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 240pF @ 25V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 1W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 500 毫欧 @ 580mA,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-DIP
封装形式Package: DIP-4
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 50V
连续漏极电流ID: 1.1A
漏源极导通电阻RDS(ON): 350mOhms
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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