型号: IRFH5207TR2PBF
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
设计资源： IRFH5207TR2PBF Saber Model IRFH5207TR2PBF Spice Model
特色产品： Mid-Voltage Power MOSFETs
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 13A（Ta），71A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 9.6 毫欧 @ 43A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 59nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2474pF @ 25V
功率 - 最大值： 3.6W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerVQFN
供应商器件封装： PQFN（5x6）
其它名称： IRFH5207TR2PBFCT
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：朱嘉林
电话：15019902970
Q Q:
联系人：张先生，唐先生，张小姐
电话：18475619159
Q Q:
联系人：陈先生
电话：15118009911
Q Q:
