型号: IRFHM8363TR2PBF
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
设计资源： IRFHM8363TR2PBF Saber Model IRFHM8363TR2PBF Spice Model
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： HEXFET®
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 11A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 14.9 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1165pF @ 10V
功率 - 最大值： 2.7W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerVDFN
供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
其它名称： IRFHM8363TR2PBFCT
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