型号: IRFI3306GPBF
功能描述: MOSFET TRENCH_MOSFETS
制造商: Infineon / IR
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 71 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 90 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 46 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon / IR
正向跨导 - 最小值: 89 S
下降时间: 33 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
零件号别名: SP001556626
单位重量: 6 g
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