型号: IRFI4019H-117P
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: FULLPAK220
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 8.7A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 95 毫欧 @ 5.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.9V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 810pF @ 25V
功率 - 最大值: 18W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
FET类型: 2 个 N 沟道(双)
FET功能: 标准
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 95 毫欧 @ 5.2A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4.9V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 810pF @ 25V
功率-最大值: 18W
封装形式Package: TO-220FP
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 150V
连续漏极电流ID: 8.7A
供应商器件封装: TO-220-5 整包
无铅情况/RoHs: 否
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