型号:  IRFI7536GPBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI7536GPBF, 86 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  FULLPAK220

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  86A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  3.4 毫欧 @ 75A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  195nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  6600pF @ 48V

功率耗散（最大值）：  75W（Tc）

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  TO-220 整包

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  86 A

最大漏源电压：  60 V

最大漏源电阻值：  0.0034 0hms

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  TO-220FP

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  75 W

典型关断延迟时间：  55 ns

典型接通延迟时间：  22 ns

典型输入电容值@Vds：  6600 pF @ 48 V

典型栅极电荷@Vgs：  130 nC @ 10 V

晶体管材料：  Si

系列：  HEXFET

最高工作温度：  +175 °C

宽度：  4.83mm

每片芯片元件数目：  1

最低工作温度：  -55 °C

长度：  10.63mm

正向跨导：  88S

正向二极管电压：  1.3V

尺寸：  10.63 x 4.83 x 9.8mm

高度：  9.8mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs