型号: IRFIZ34EPBF
功能描述: HEXFET Power MOSFET
制造商: International Rectifier
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 60 V
闸/源击穿电压: 20 V
漏极连续电流: 21 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 42 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP
封装: Tube
下降时间: 40 ns
栅极电荷 Qg: 22.7 nC
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 37 W
上升时间: 49 ns
典型关闭延迟时间: 31 ns
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