型号:  IRFR18N15DTRPBF

功能描述:  International Rectifier/分立半导体产品

制造商:  International Rectifier

产品培训模块：  High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

设计资源：  IRFR18N15D Saber Model IRFR18N15D Spice Model

标准包装：  2,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  HEXFET®

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  标准

漏源极电压（Vdss）：  150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  18A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  125 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  5.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  43nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  900pF @ 25V

功率 - 最大值：  110W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：  D-Pak

其它名称：  IRFR18N15DTRPBF-NDIRFR18N15DTRPBFTR