型号:  IRFS31N20DHR

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

制造商:  international rectifier

包装：  3D2PAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  200 V

最大连续漏极电流：  31 A

RDS -于：  82@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型导通延迟时间：  16 ns

典型上升时间：  38 ns

典型关闭延迟时间：  26 ns

典型下降时间：  10 ns

工作温度：  -55 to 175 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Rail / Tube

最大门源电压：  ±30

包装宽度：  9.65(Max)

PCB：  2

最大功率耗散：  3100

最大漏源电压：  200

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最大漏源电阻：  82@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  D2PAK

标准包装名称：  D2PAK

最高工作温度：  175

渠道类型：  N

包装长度：  10.67(Max)

引脚数：  3

包装高度：  4.83(Max)

最大连续漏极电流：  31

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

漏极电流（最大值）：  31 A

频率（最大）：  Not Required MHz

栅源电压（最大值）：  �30 V

输出功率（最大）：  Not Required W

功率耗散：  3.1 W

噪声系数：  Not Required dB

工作温度范围：  -55C to 175C

包装类型：  D2PAK

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏极效率：  Not Required %

漏源导通电压：  200 V

功率增益：  Not Required dB

弧度硬化：  No

连续漏极电流：  31 A