型号: IRFU9110PBF
功能描述: Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
制造商: Vishay
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 3.1A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 8.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 200pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.2 欧姆 @ 1.9A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
封装形式Package： TO-251-3
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 100V
连续漏极电流ID： 3.1A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 1.2Ohms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：17722609183
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13823235114
Q Q:
联系人：Helan
电话：13924672242
Q Q:
